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中村 修二（なかむら しゅうじ、1954年5月22日 - ）は、電子工学者、工学博士。 青色発光ダイオードや青紫色半導体レーザーの製造方法などの発明・開発者として知られる。 アメリカ合衆国のカリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）教授（Professor of Materials & ECE, Director of Solid State Lighting & Display Center）。愛媛大学客員教授。愛媛県西宇和郡瀬戸町（現伊方町）生まれの大洲市出身（小学校時代に転居）。日亜化学工業社員時代に青色発光ダイオードの開発を社長に直訴し、会社から約3億円の開発費用の使用を許される。 米国・フロリダ大学に1年間留学後、日亜化学工業に戻り約2億円程度するMOCVD装置の改造に取り掛かるが、社長の交代等もあり研究の取り止めを求められた（著書より）。その後、青色発光素子であるGaN（窒化ガリウム）の結晶を作製するツーフローMOCVDを発明した。ツーフローMOCVDは通称404特許と呼ばれ日亜化学工業と特許権等を争った。日亜化学工業は同訴訟中にツーフローMOCVDは無価値だと述べており、訴訟終了後に特許権を放棄している。
(Wikipedia: 中村修二 )